Mathis Picot-Digoix reçoit le Prix des Sciences de l'Ingénieur de l'Académie des Sciences, Inscriptions et Belles-Lettres de Toulousepour ses travaux de thèse en collaboration entre le groupe CS du Laplace et Safran-Tech Paris-Saclay.
Le 29 juin 2026
L'Académie des Sciences, Inscriptions et Belles-Lettres de Toulouse, en partenariat avec Toulouse INP, vient de décerner le Prix des Sciences de l'Ingénieur à Mathis Picot-Digoix pour ses travaux de thèse soutenus en octobre 2025. Cette distinction lui a été remise le 14 juin 2026 à l'Hôtel d'Assézat lors d'une cérémonie plénière d'attribution de Prix d'excellence couvrant tous les domaines scientifiques (122 dossiers de candidatures déposés pour 19 Prix décernés).
Remise du Prix des Sciences de l'Ingénieur doté par Toulouse INP à Mathis Picot-Digoix, le 14 juin 2026 à l'Hôtel d'Assézat, par l'Académie des Sciences, Inscriptions et Belles-Lettres de Toulouse.
La thèse Cifre de Mathis Picot-Digoix s'est déroulée sur la période de 2022 à 2025 en collaboration entre le groupe CS du Laplace et le pôle Energie Electrique de Safran Tech situé à Paris-Saclay. Le sujet s'inscrit dans le cadre des activités de recherche en Fiabilité et Robustesse des composants à semiconducteurs de puissance à grand gap de type transistor MOSFET SiC, en particulier sur régime extrême fonctionnel de court-circuit pour le secteur aéronautique. Dans cette thèse, de nouvelles structures de gate-driver (circuit électronique de commande rapprochée de la grille du transistor) ont été imaginées, développées, intégrées et valorisées permettant une détection rapide (< 100ns) et robuste (plage de tension de bus étendue) sur défauts internes et externes à un bras d'onduleur. Une configuration particulièrement innovante de ces structures a été inventée, permettant pour la première fois un suivi précis (0,3%) et en temps réel PWM 20kHz de l'état de santé de l'interface Si02-SiC de l'oxyde de grille du composant MOSFET SiC, région particulièrement sensible et critique pour la durée de vie du composant. Des mesures intégrées aux circuits gate-driver ont permis d'extraire les dérives intrinsèques de la tension de seuil de commande (VGS-TH) du composant et in fine d'offrir, le cas échéant, une séquence de dépiégeage de charges par un motif de commande spécifique mais non intrusif car opéré à l'état bloqué du transistor uniquement. Après 3 brevets d'invention déposés en copropriété avec Safran-Toulouse INP-CNRS-UT, 5 distinctions sur travaux et articles (voir base HAL), une validation opérée sur un nouveau module de puissance ENGINeUS50™ de la filiale Safran Electrical and Power (certifié aéronautique en janvier 2025), cette activité se poursuit côté Safran Tech par une montée en TRL et côté Laplace par l'exploration de structures de gate-driver alternatives, combinant des degrés de libertés supplémentaires pour étendre davantage la discrétion CEM, la robustesse extrême et la durée de vie "sur usage temps long" des semi-conducteurs MOSFET SiC et HEMT GaN de puissance.
Contact chercheur : Frédéric Richardeau
frederic.richardeau @ laplace.univ-tlse.fr
Référent Technique : Jean-Marc Blaquière
jean-marc.blaquiere @ laplace.univ-tlse.fr
